NDPL100N10BG

MOSFET N-CH 100V 100A TO220
NDPL100N10BG P1
NDPL100N10BG P1
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ON Semiconductor ~ NDPL100N10BG

Número de pieza
NDPL100N10BG
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NDPL100N10BG
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 100A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 2.1W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 50A, 15V
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3

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