NCP5359ADR2G

IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
NCP5359ADR2G P1
NCP5359ADR2G P1
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ON Semiconductor ~ NCP5359ADR2G

Número de pieza
NCP5359ADR2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- NCP5359ADR2G PDF online browsing
Familia
PMIC - controladores de compuerta
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Número de pieza NCP5359ADR2G
Estado de la pieza Last Time Buy
Configuración Impulsada Half-Bridge
Tipo de canal Synchronous
Cantidad de controladores 2
Tipo de puerta N-Channel MOSFET
Suministro de voltaje 10 V ~ 13.2 V
Voltaje lógico - VIL, VIH 1V, 2V
Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) -
Tipo de entrada Non-Inverting
Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) 30V
Tiempo de subida / bajada (Tipo) 16ns, 15ns
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOIC

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