MJD5731T4G

TRANS PNP 350V 1A DPAK
MJD5731T4G P1
MJD5731T4G P1
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ON Semiconductor ~ MJD5731T4G

Número de pieza
MJD5731T4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS PNP 350V 1A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- MJD5731T4G PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
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Número de pieza MJD5731T4G
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 350V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
Corriente - corte de colector (máximo) 100µA
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V
Potencia - Max 1.56W
Frecuencia - Transición 10MHz
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor DPAK-3

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