MJD112-1G

TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
MJD112-1G P1
MJD112-1G P1
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ON Semiconductor ~ MJD112-1G

Número de pieza
MJD112-1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
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Número de pieza MJD112-1G
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 100V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Corriente - corte de colector (máximo) 20µA
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Potencia - Max 1.75W
Frecuencia - Transición 25MHz
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor I-Pak

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