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| Número de pieza | IRFU120_R4941 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 5.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-PAK |
| Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRFU1010Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | 0 | Detalles | |
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