FQP13N50C_F105

IC POWER MANAGEMENT
FQP13N50C_F105 P1
FQP13N50C_F105 P1
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ON Semiconductor ~ FQP13N50C_F105

Número de pieza
FQP13N50C_F105
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
IC POWER MANAGEMENT
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza FQP13N50C_F105
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2055pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3

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