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| Número de pieza | FQB34P10TM-F085P |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 33.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16.75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2910pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263) |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQB34P10TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK | - | 2400 | Detalles |
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FQB34P10TM-F085 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK | - | 34154 | Detalles |
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FQB34P10TM-F085P | ON Semiconductor | PMOS D2PAK 100V 60 MOHM | - | 6811 | Detalles |
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FQB34P10TM_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK | - | 8800 | Detalles |