FDMS3660S-F121

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
FDMS3660S-F121 P1
FDMS3660S-F121 P1
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ON Semiconductor ~ FDMS3660S-F121

Número de pieza
FDMS3660S-F121
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza FDMS3660S-F121
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V
Potencia - Max 1W
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor Power56

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