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| Número de pieza | FDMC510P-F106 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Ta), 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 12A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 116nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7860pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Paquete / caja | 8-PowerWDFN |
