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| Número de pieza | FDFMA2P029Z-F106 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 10V |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.4W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-MicroFET (2x2) |
| Paquete / caja | 6-VDFN Exposed Pad |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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FDFMA2N028Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 | - | 45000 | Detalles |
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FDFMA2P029Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP | - | 36000 | Detalles |
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FDFMA2P029Z-F106 | ON Semiconductor | -20V -3.1A 95 O PCH ER T | - | 169036 | Detalles |
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FDFMA2P853 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 | - | 9000 | Detalles |
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FDFMA2P853T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET | 0 | Detalles | |
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FDFMA2P857 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 | 0 | Detalles | |
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FDFMA2P859T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET | - | 0 | Detalles |