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| Número de pieza | FDB8860-F085 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 214nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12585pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 254W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263AB |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDB8030L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FDB8132 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FDB8132_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Detalles | |
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FDB8160 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FDB8160-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | - | 10363 | Detalles |
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FDB8160_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FDB8441 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | - | 20800 | Detalles |
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FDB8441-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | - | 10358 | Detalles |
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FDB8441_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | - | 1600 | Detalles |
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FDB8442 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FDB8442-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK | - | 35885 | Detalles |
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FDB8442_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK | - | 0 | Detalles |