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| Número de pieza | FDB1D7N10CL7 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 268A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.65 mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 700µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 163nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 50V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 250W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263) |
| Paquete / caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDB10AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB | 0 | Detalles | |
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FDB110N15A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK | - | 70400 | Detalles |
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FDB120N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET NCH 100V 74A D2PAK | - | 800 | Detalles |
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FDB12N50FTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 43993 | Detalles |
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FDB12N50FTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FDB12N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK | - | 800 | Detalles |
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FDB12N50UTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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FDB13AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB | - | 800 | Detalles |
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FDB14AN06LA0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB | 0 | Detalles | |
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FDB14AN06LA0-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK | - | 58039 | Detalles |
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FDB14AN06LA0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK | - | 800 | Detalles |
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FDB14N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK | - | 1600 | Detalles |