EFC6612R-A-TF

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
EFC6612R-A-TF P1
EFC6612R-A-TF P1
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ON Semiconductor ~ EFC6612R-A-TF

Número de pieza
EFC6612R-A-TF
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- EFC6612R-A-TF PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza EFC6612R-A-TF
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) -
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Potencia - Max 2.5W
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-SMD, No Lead
Paquete de dispositivo del proveedor 6-CSP (1.77x3.54)

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