ECH8690-TL-H

MOSFET N/P-CH 60V ECH8
ECH8690-TL-H P1
ECH8690-TL-H P1
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ON Semiconductor ~ ECH8690-TL-H

Número de pieza
ECH8690-TL-H
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- ECH8690-TL-H PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza ECH8690-TL-H
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate, 4V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.7A, 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 955pF @ 20V
Potencia - Max 1.5W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor 8-ECH

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