ECH8651R-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
ECH8651R-TL-H P1
ECH8651R-TL-H P2
ECH8651R-TL-H P1
ECH8651R-TL-H P2
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ON Semiconductor ~ ECH8651R-TL-H

Número de pieza
ECH8651R-TL-H
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- ECH8651R-TL-H PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza ECH8651R-TL-H
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 24V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Potencia - Max 1.5W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor 8-ECH

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