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ON Semiconductor ~ BAS19LT3G

Número de pieza	BAS19LT3G
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	120V
Corriente - promedio rectificado (Io)	200mA (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.25V @ 200mA
Velocidad	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inversa (trr)	50ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
BAS 125-06W E6327	Infineon Technologies	DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT323	-	0	Detalles
BAS 16 B5003	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3	-	0	Detalles
BAS 16-02V E6327	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 80V 200MA SC79-2	-	0	Detalles
BAS 16-02W E6327	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 80V 200MA SCD80-2	-	0	Detalles
BAS 16-07L4 E6327	Infineon Technologies	DIODE ARRAY GP 80V 200MA TSLP4	-	0	Detalles
BAS 3005A-02V E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2	-	0	Detalles
BAS 3005A-02V H6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2	-	3000	Detalles
BAS 3005B-02V E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2		0	Detalles
BAS 3005B-02V H6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2		24000	Detalles
BAS 3007A-RPP E6327	Infineon Technologies	DIODE BRIDGE 30V 900MA SOT143	-	138000	Detalles
BAS 3010S-02LRH E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 1A TSLP-2	-	15000	Detalles
BAS 3020B E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOT363-6	-	0	Detalles