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Número de pieza | PMV65UN,215 |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 183pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 310mW (Ta), 2.17W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 76 mOhm @ 2A, 4.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB (SOT23) |
Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |