PMV30UN,215

MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
PMV30UN,215 P1
PMV30UN,215 P1
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NXP USA Inc. ~ PMV30UN,215

Número de pieza
PMV30UN,215
Fabricante
NXP USA Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 20V 5.7A SOT-23
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- PMV30UN,215 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza PMV30UN,215
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.7A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 20V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-236AB (SOT23)
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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