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| Número de pieza | PMR290UNE,115 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 700mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 83pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 250mW (Ta), 770mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-75 |
| Paquete / caja | SC-75, SOT-416 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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PMR290UNE,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75 | - | 0 | Detalles |
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PMR290XN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416 | - | 0 | Detalles |