PHM21NQ15T,518

MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON
PHM21NQ15T,518 P1
PHM21NQ15T,518 P1
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NXP USA Inc. ~ PHM21NQ15T,518

Número de pieza
PHM21NQ15T,518
Fabricante
NXP USA Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza PHM21NQ15T,518
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 22.2A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 36.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2080pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-HVSON (6x5)
Paquete / caja 8-VDFN Exposed Pad

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