Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
Número de pieza | PHD63NQ03LT,118 |
---|---|
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 68.9A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 111W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 25A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |