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Número de pieza | PHD14NQ20T,118 |
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Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 125W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 7A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |