BST72A,112

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54
BST72A,112 P1
BST72A,112 P1
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NXP USA Inc. ~ BST72A,112

Número de pieza
BST72A,112
Fabricante
NXP USA Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BST72A,112.pdf BST72A,112 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza BST72A,112
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 190mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Vgs (Max) 20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 830mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 150mA, 5V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-92-3
Paquete / caja TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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