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NXP USA Inc. ~ BLF6G27LS-100,118

Número de pieza	BLF6G27LS-100,118
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de transistor	LDMOS
Frecuencia	2.5GHz ~ 2.7GHz
Ganancia	17dB
Voltaje - Prueba	28V
Valoración actual	29A
Figura de ruido	-
Actual - Prueba	900mA
Salida de potencia	14W
Voltaje - Clasificación	65V
Paquete / caja	SOT-502A
Paquete de dispositivo del proveedor	LDMOST

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
BLF6G20-110,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A		0	Detalles
BLF6G20-180PN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539A		0	Detalles
BLF6G20-180RN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502A		0	Detalles
BLF6G20-230P	NXP USA Inc.	IC BASESTATION FINAL SOT502A	-	0	Detalles
BLF6G20-230PRN,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A		0	Detalles
BLF6G20-230PRN,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT539A		0	Detalles
BLF6G20-40,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.8DB SOT608A		0	Detalles
BLF6G20-45,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A		30	Detalles
BLF6G20-45,135	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608A		0	Detalles
BLF6G20-75,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A		0	Detalles
BLF6G20LS-110,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B		0	Detalles
BLF6G20LS-110,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B		0	Detalles