Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
Número de pieza | PSMN4R0-30YL,115 |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 36.6nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2090pF @ 12V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 69W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 15A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquete / caja | SC-100, SOT-669 |