NX7002BKR

MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
NX7002BKR P1
NX7002BKR P1
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Nexperia USA Inc. ~ NX7002BKR

Número de pieza
NX7002BKR
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NX7002BKR
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 270mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 23.6pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 Ohm @ 200mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-236AB (SOT23)
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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