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| Número de pieza | BSP52,115 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 80V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 1.3V @ 500µA, 500mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 50nA |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
| Potencia - Max | 1.25W |
| Frecuencia - Transición | 200MHz |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-261-4, TO-261AA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-223 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP 51 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 | - | 2000 | Detalles |
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BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 | - | 0 | Detalles |
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BSP 60 E6433 | Infineon Technologies | TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 | - | 0 | Detalles |
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BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 | 1000 | Detalles | |
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BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Detalles |
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BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Detalles |
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BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | 1000 | Detalles |