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| Número de pieza | MAP6KE51AE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo | Zener |
| Canales unidireccionales | 1 |
| Canales Bidireccionales | - |
| Voltaje - Separación inversa (Tipo) | 43.6V |
| Voltaje - avería (Min) | 48.5V |
| Voltaje: sujeción (máxima) @ Ipp | 70.1V |
| Corriente - Pulso máximo (10 / 1000μs) | 8.6A |
| Poder - Pulso máximo | 600W |
| Power Line Protection | No |
| Aplicaciones | General Purpose |
| Capacitancia @ Frecuencia | - |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | T-18, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | T-18 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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MAP66006 | Laird Technologies IAS | ANT ASSY CARRIER MOLD BLACK | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE100A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 85.5VWM 137VC T18 | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE100AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 85.5VWM 137VC T18 | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE100CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 85.5VWM 137VC T18 | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE100CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 85.5VWM 137VC T18 | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE10A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC T18 | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE10AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC T18 | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE10CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC T18 | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE10CAE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC T18 | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE110A | Microsemi Corporation | TVS DIODE 94VWM 152VC T18 | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE110AE3 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 94VWM 152VC T18 | - | 0 | Detalles |
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MAP6KE110CA | Microsemi Corporation | TVS DIODE 94VWM 152VC T18 | - | 0 | Detalles |