Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | JANTXV1N5616 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 3A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 2µs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 400V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | A, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 200°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Detalles |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Detalles |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Detalles |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Detalles |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Detalles |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Detalles |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Detalles |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Detalles |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |