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| Número de pieza | JANTX1N6677-1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 200mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 500mV @ 200mA |
| Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 40V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-213AA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-213AA |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 125°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Detalles |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Detalles |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Detalles |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Detalles |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Detalles |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Detalles |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Detalles |
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JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Detalles |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |