JANTX1N649

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
JANTX1N649 P1
JANTX1N649 P1
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Microsemi Corporation ~ JANTX1N649

Número de pieza
JANTX1N649
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- JANTX1N649 PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza JANTX1N649
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corriente - promedio rectificado (Io) 400mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1V @ 400mA
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Current - Reverse Leakage @ Vr 50nA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivo del proveedor DO-35
Temperatura de funcionamiento - unión -65°C ~ 175°C

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