Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | JAN2N2218 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 30V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 10nA |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Potencia - Max | 800mW |
| Frecuencia - Transición | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-39 (TO-205AD) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
|
JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
|
JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
 |
JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Detalles |
|
JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
|
JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
|
JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
|
JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
|
JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
|
JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
|
JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
|
JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |