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| Número de pieza | JAN1N6631US |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1.4A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 1.4A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 60ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 4µA @ 1100V |
| Capacitancia @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SQ-MELF, E |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-5B |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 150°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Detalles |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |