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| Número de pieza | JAN1N6391 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 22.5A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 680mV @ 50A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1.5mA @ 45V |
| Capacitancia @ Vr, F | 2000pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Paquete / caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-203AA (DO-4) |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Detalles |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |