JAN1N5618US

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
JAN1N5618US P1
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Microsemi Corporation ~ JAN1N5618US

Número de pieza
JAN1N5618US
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza JAN1N5618US
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corriente - promedio rectificado (Io) 1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.3V @ 3A
Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 2µs
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SQ-MELF, A
Paquete de dispositivo del proveedor D-5A
Temperatura de funcionamiento - unión -65°C ~ 200°C

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