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| Número de pieza | APTSM120AM14CD3AG |
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| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 337A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Potencia - Max | 2140W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Module |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APTSM120AM08CT6AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Detalles |
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APTSM120AM09CD3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Detalles |
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APTSM120AM14CD3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Detalles |
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APTSM120AM25CT3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Detalles |
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APTSM120AM55CT1AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Detalles |
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APTSM120TAM33CTPAG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Detalles |