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| Número de pieza | APTM60A11FT1G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 132 mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10552pF @ 25V |
| Potencia - Max | 390W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SP1 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP1 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APTM60A11FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | 0 | Detalles | |
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APTM60A23FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 | 0 | Detalles | |
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APTM60H23FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 | 0 | Detalles |