APTM50UM09FAG

MOSFET N-CH 500V 497A SP6
APTM50UM09FAG P1
APTM50UM09FAG P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Microsemi Corporation ~ APTM50UM09FAG

Número de pieza
APTM50UM09FAG
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 500V 497A SP6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- APTM50UM09FAG PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza APTM50UM09FAG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 497A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 30mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1200nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 63300pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 5000W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 248.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SP6
Paquete / caja SP6

Productos relacionados

Todos los productos