APTGT75H60T1G

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
APTGT75H60T1G P1
APTGT75H60T1G P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Microsemi Corporation ~ APTGT75H60T1G

Número de pieza
APTGT75H60T1G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- APTGT75H60T1G PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza APTGT75H60T1G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Full Bridge Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Potencia - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 75A
Corriente - corte de colector (máximo) 250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 4.62nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP1
Paquete de dispositivo del proveedor SP1

Productos relacionados

Todos los productos