APTGT50A1202G

MOD IGBT 1200V 75A SP2
APTGT50A1202G P1
APTGT50A1202G P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

Microsemi Corporation ~ APTGT50A1202G

Número de pieza
APTGT50A1202G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
MOD IGBT 1200V 75A SP2
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- APTGT50A1202G PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza APTGT50A1202G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Potencia - Max 277W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Corriente - corte de colector (máximo) 50µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP2
Paquete de dispositivo del proveedor SP2

Productos relacionados

Todos los productos