APTGL475U120DAG

POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
APTGL475U120DAG P1
APTGL475U120DAG P1
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Microsemi Corporation ~ APTGL475U120DAG

Número de pieza
APTGL475U120DAG
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza APTGL475U120DAG
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 610A
Potencia - Max 2307W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 400A
Corriente - corte de colector (máximo) 4mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 24.6nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP6
Paquete de dispositivo del proveedor SP6

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