APTC90SKM60CT1G

MOSFET N-CH 900V 59A SP1
APTC90SKM60CT1G P1
APTC90SKM60CT1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTC90SKM60CT1G

Número de pieza
APTC90SKM60CT1G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- APTC90SKM60CT1G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza APTC90SKM60CT1G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 59A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 6mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET Super Junction
Disipación de potencia (Máx) 462W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 52A, 10V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SP1
Paquete / caja SP1

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