APTC60DAM18CTG

MOSFET N-CH 600V 143A SP4
APTC60DAM18CTG P1
APTC60DAM18CTG P1
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Microsemi Corporation ~ APTC60DAM18CTG

Número de pieza
APTC60DAM18CTG
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 600V 143A SP4
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza APTC60DAM18CTG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 143A
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 4mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1036nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 833W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 71.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SP4
Paquete / caja SP4

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