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| Número de pieza | APT75DQ100BG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 75A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 3V @ 75A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 250ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APT70GR120B2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO247 | - | 0 | Detalles |
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APT70GR120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 0 | Detalles |
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APT70GR120JD60 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | - | 16 | Detalles |
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APT70GR120L | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | - | 45 | Detalles |
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APT70GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | - | 52 | Detalles |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Detalles |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Detalles |
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APT70SM70B | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Detalles |
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APT70SM70J | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Detalles |
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APT70SM70S | Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SIC | - | 0 | Detalles |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | Detalles |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | Detalles |