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| Número de pieza | APT60GT60BRG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | NPT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 360A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
| Potencia - Max | 500W |
| Conmutación de energía | 3.4mJ |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 275nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 26ns/395ns |
| Condición de prueba | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | - | 4 | Detalles |
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APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | - | 2 | Detalles |
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APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | - | 3 | Detalles |
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APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | - | 15579 | Detalles |
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APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 15 | Detalles |
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APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 25 | Detalles |
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APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | 0 | Detalles | |
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APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Detalles | |
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APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Detalles | |
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APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | - | 375 | Detalles |
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APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | - | 0 | Detalles |
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APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | - | 0 | Detalles |