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| Número de pieza | APT15GN120BDQ1G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | Trench Field Stop |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Potencia - Max | 195W |
| Conmutación de energía | 410µJ (on), 950µJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 90nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 10ns/150ns |
| Condición de prueba | 800V, 15A, 4.3 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 21 | Detalles |
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APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 96 | Detalles |
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APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 19 | Detalles |
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APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 16 | Detalles |
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APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 15 | Detalles |
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APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | - | 0 | Detalles |
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APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | - | 29 | Detalles |
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APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Detalles |
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APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | - | 14 | Detalles |
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APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Detalles |
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APT15D100KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | - | 509 | Detalles |
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APT15D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | 0 | Detalles |