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| Número de pieza | APT102GA60B2 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de IGBT | PT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 183A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 307A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
| Potencia - Max | 780W |
| Conmutación de energía | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 294nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 28ns/212ns |
| Condición de prueba | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 Variant |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Detalles | |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | Detalles | |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | Detalles |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Detalles |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | Detalles |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | Detalles |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | Detalles |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | Detalles |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | Detalles |
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APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | - | 30 | Detalles |
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APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 0 | Detalles | |
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APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | Detalles |