APL502B2G

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
APL502B2G P1
APL502B2G P2
APL502B2G P1
APL502B2G P2
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Microsemi Corporation ~ APL502B2G

Número de pieza
APL502B2G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza APL502B2G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 58A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 730W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 29A, 12V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor T-MAX™ [B2]
Paquete / caja TO-247-3 Variant

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