1N6080US

DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
1N6080US P1
1N6080US P1
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Microsemi Corporation ~ 1N6080US

Número de pieza
1N6080US
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza 1N6080US
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corriente - promedio rectificado (Io) 2A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.5V @ 37.7A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SQ-MELF, G
Paquete de dispositivo del proveedor G-MELF (D-5C)
Temperatura de funcionamiento - unión -65°C ~ 155°C

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