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Microsemi Corporation ~ 1N5523D-1

Número de pieza	1N5523D-1
Estado de la pieza	Active
Voltaje - Zener (Nom) (Vz)	5.1V
Tolerancia	±1%
Potencia - Max	500mW
Impedancia (Máx.) (Zzt)	26 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 2.5V
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.1V @ 200mA
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-35 (DO-204AH)

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
1N5059GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	-	8000	Detalles
1N5059GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	-	0	Detalles
1N5059TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57	-	0	Detalles
1N5059TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57	-	0	Detalles
1N5060 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A	-	0	Detalles
1N5060GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	8000	Detalles
1N5060GP-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Detalles
1N5060GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Detalles
1N5060GPHE3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC	-	0	Detalles
1N5060TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57	-	0	Detalles
1N5060TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57	-	20000	Detalles
1N5061 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A	-	0	Detalles